SISA04DN-T1-GE3 与 BSZ019N03LS 区别
| 型号 | SISA04DN-T1-GE3 | BSZ019N03LS |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SISA04DN-T1-GE3 | A-BSZ019N03LS |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 30 V 2.15 mOhm 52 W SMT Power Mosfet - PowerPAK 1212-8 | 系列:OptiMOS™ |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 | PG-TSDSON-8-FL |
| 连续漏极电流Id | 40A(Tc) | 149A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.15 mOhms @ 15A,10V | 1.9mΩ@20A,10V |
| 系列 | - | OptiMOS™ |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.7W(Ta),52W(Tc) | 69W |
| Vgs(最大值) | +20V,-16V | - |
| Vgs(th) | 2.2V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 5,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SISA04DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
40A(Tc) N-Channel 2.15 mOhms @ 15A,10V 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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BSZ019N03LS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
PG-TSDSON-8-FL N-Channel 69W 1.9mΩ@20A,10V -55°C~150°C ±20V 30V 149A |
暂无价格 | 5,000 | 对比 |
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IRLHM630TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) PQFN(3x3) 30V 40A 3.5mΩ 12V 2.7W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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