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SISA04DN-T1-GE3  与  IRLHM630TRPBF  区别

型号 SISA04DN-T1-GE3 IRLHM630TRPBF
唯样编号 A3t-SISA04DN-T1-GE3 A-IRLHM630TRPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 2.15 mOhm 52 W SMT Power Mosfet - PowerPAK 1212-8 Single N-Channel 20 V 37 W 41 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 3.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.15 mOhms @ 15A,10V 3.5mΩ
上升时间 - 32ns
Qg-栅极电荷 - 41nC
Vgs(th) 2.2V @ 250uA -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
栅极电压Vgs - 12V
正向跨导 - 最小值 - 140S
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8 PQFN(3x3)
连续漏极电流Id 40A(Tc) 40A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
配置 - Single
长度 - 3.3mm
Vgs(最大值) +20V,-16V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,10V
下降时间 - 43ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3170pF @ 25V
高度 - 1.05mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3.7W(Ta),52W(Tc) 2.7W
典型关闭延迟时间 - 65ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3170pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 62nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 - 9.1ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 62nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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