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SUP40010EL-GE3  与  IRFB7437PBF  区别

型号 SUP40010EL-GE3 IRFB7437PBF
唯样编号 A3t-SUP40010EL-GE3 A-IRFB7437PBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET N-Channel 40 V 2 mOhms HEX-Power Mosfet - TO-220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.8 mOhms @ 30A,10V 2mΩ@100A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 375W(Tc) 230W(Tc)
Vgs(th) 2.5V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB
连续漏极电流Id 120A(Tc) 250A
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C(TJ)
系列 - HEXFET®,StrongIRFET™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7330pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 225nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7330pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 225nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SUP40010EL-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

120A(Tc) N-Channel 1.8 mOhms @ 30A,10V 375W(Tc) TO-220-3 -55°C~175°C 40V

暂无价格 0 当前型号
IRLB3034PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C TO-220AB 40V 343A 1.7mΩ@195A,10V ±20V 375W N-Channel

暂无价格 0 对比
IRFB7437PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 2mΩ@100A,10V N-Channel 40V 250A TO-220AB

暂无价格 0 对比

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