SUP40010EL-GE3 与 IRLB3034PBF 区别
| 型号 | SUP40010EL-GE3 | IRLB3034PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SUP40010EL-GE3 | A-IRLB3034PBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET | Single N-Channel 40 V 375 W 108 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 4.4mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.8 mOhms @ 30A,10V | 1.7mΩ@195A,10V |
| 上升时间 | - | 827ns |
| Qg-栅极电荷 | - | 108nC |
| Vgs(th) | 2.5V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 286S |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220AB |
| 连续漏极电流Id | 120A(Tc) | 343A |
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~175°C |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 10mm |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 下降时间 | - | 355ns |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 10315pF @ 25V |
| 高度 | - | 15.65mm |
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V |
| Pd-功率耗散(Max) | 375W(Tc) | 375W |
| 典型关闭延迟时间 | - | 97ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 10315pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 162nC @ 4.5V |
| 典型接通延迟时间 | - | 65ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 162nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SUP40010EL-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
120A(Tc) N-Channel 1.8 mOhms @ 30A,10V 375W(Tc) TO-220-3 -55°C~175°C 40V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRLB3034PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C TO-220AB 40V 343A 1.7mΩ@195A,10V ±20V 375W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
IRFB7437PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 2mΩ@100A,10V N-Channel 40V 250A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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