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SiHP8N50D-GE3  与  STP11NK50Z  区别

型号 SiHP8N50D-GE3 STP11NK50Z
唯样编号 A3t-SiHP8N50D-GE3 A36-STP11NK50Z
制造商 Vishay STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 500V 10A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
功率耗散Pd 156W(Tc) -
连续漏极电流Id 8.7A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C -
漏源极电压Vds 500V -
Vgs(最大值) ±30V -
导通电阻Rds(On) 850 mOhms @ 4A,10V -
Vgs(th) 5V @ 250uA -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 0 887
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
10+ :  ¥5.412
100+ :  ¥4.32
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SiHP8N50D-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

8.7A(Tc) N-Channel 850 mOhms @ 4A,10V 156W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 500V

暂无价格 0 当前型号
STP11NK50Z STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 2,100 对比
STP11NK50Z STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥5.412 

阶梯数 价格
10: ¥5.412
100: ¥4.32
887 对比
IRF840 ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 对比
IRF840A ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 对比
FQP9N50C ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 对比

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