SiHP8N50D-GE3 与 IRF840A 区别
| 型号 | SiHP8N50D-GE3 | IRF840A |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SiHP8N50D-GE3 | A3t-IRF840A |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 未分类 |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | TO-220-3 | - |
| 功率耗散Pd | 156W(Tc) | - |
| 连续漏极电流Id | 8.7A(Tc) | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C | - |
| 漏源极电压Vds | 500V | - |
| Vgs(最大值) | ±30V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 850 mOhms @ 4A,10V | - |
| Vgs(th) | 5V @ 250uA | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SiHP8N50D-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.7A(Tc) N-Channel 850 mOhms @ 4A,10V 156W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 500V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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STP11NK50Z | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 2,100 | 对比 | ||||||
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STP11NK50Z | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
￥5.412
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887 | 对比 | ||||||
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IRF840 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IRF840A | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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FQP9N50C | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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