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FDD86113LZ  与  DMN10H170SK3Q-13  区别

型号 FDD86113LZ DMN10H170SK3Q-13
唯样编号 M-FDD86113LZ A-DMN10H170SK3Q-13
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 海外代购 唯样自营
分类 通用MOSFET MOSFET
描述 N-Channel 100 V 104 mOhm Shielded Gate Power Trench Mosfet - DPAK-3 MOSFET N-CH 100V 12A TO252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3
工作温度 - -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id - 12A(Tc)
驱动电压 - 4.5V,10V
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 42W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 140mΩ@5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1167 pF @ 25 V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 9.7 nC @ 10 V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 42 - 126天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDD86113LZ ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
AOD2922 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥1.1633 

阶梯数 价格
1: ¥1.1633
100: ¥0.8382
1,000: ¥0.7215
2,500: ¥0.57
283 对比
AOD478 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥2.5323 

阶梯数 价格
1: ¥2.5323
100: ¥1.9926
1,000: ¥1.5583
2,500: ¥1.2155
7 对比
DMN10H170SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

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TO-252-3

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暂无价格 0 对比

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