首页 > 商品目录 > > > > FDD86113LZ代替型号比较

FDD86113LZ  与  IRLR3410TRRPBF  区别

型号 FDD86113LZ IRLR3410TRRPBF
唯样编号 M-FDD86113LZ A-IRLR3410TRRPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 海外代购 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 104 mOhm Shielded Gate Power Trench Mosfet - DPAK-3 Single N-Channel 100 V 52 W 34 nC Surface Mount Hexfet Power Mosfet - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 105mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 79W(Tc)
栅极电压Vgs - ±16V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 D-Pak
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 17A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 800pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 34nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 800pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 34nC @ 5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 42 - 126天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDD86113LZ ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
AOD2922 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥1.1633 

阶梯数 价格
1: ¥1.1633
100: ¥0.8382
1,000: ¥0.7215
2,500: ¥0.57
283 对比
AOD478 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥2.5323 

阶梯数 价格
1: ¥2.5323
100: ¥1.9926
1,000: ¥1.5583
2,500: ¥1.2155
7 对比
DMN10H170SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
DMN10H170SK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
IRLR3410TRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售