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SQD15N06-42L_GE3  与  IPD400N06N G  区别

型号 SQD15N06-42L_GE3 IPD400N06N G
唯样编号 A-SQD15N06-42L_GE3 A-IPD400N06N G
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 36mΩ 40mΩ
上升时间 10ns 24ns
Qg-栅极电荷 15nC -
栅极电压Vgs 1.5V 20V
正向跨导 - 最小值 11S -
封装/外壳 TO-252 -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 15A 27A
配置 Single Single
长度 - 6.5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 8ns 23ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 535pF @ 25V -
高度 - 2.3mm
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 37W 68W
典型关闭延迟时间 13ns -
FET类型 - N-Channel
系列 SQ OptiMOS2
通道数量 1Channel 1Channel
典型接通延迟时间 5ns 9ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 10V -
库存与单价
库存 25 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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