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SQD15N06-42L_GE3  与  IPD350N06LGBTMA1  区别

型号 SQD15N06-42L_GE3 IPD350N06LGBTMA1
唯样编号 A-SQD15N06-42L_GE3 A-IPD350N06LGBTMA1
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 68W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 36mΩ -
上升时间 10ns -
Qg-栅极电荷 15nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 800pF @ 30V
栅极电压Vgs 1.5V -
正向跨导 - 最小值 11S -
封装/外壳 TO-252 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 15A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 13nC @ 5V
配置 Single -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 35 毫欧 @ 29A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
下降时间 8ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 535pF @ 25V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 37W -
典型关闭延迟时间 13ns -
FET类型 - N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 28uA
系列 SQ -
通道数量 1Channel -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 29A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 60V
典型接通延迟时间 5ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 10V -
库存与单价
库存 25 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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