首页 > 商品目录 > > > > SQD15N06-42L_GE3代替型号比较

SQD15N06-42L_GE3  与  IRLR3105TRPBF  区别

型号 SQD15N06-42L_GE3 IRLR3105TRPBF
唯样编号 A-SQD15N06-42L_GE3 A-IRLR3105TRPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 55 V 37 mOhm 13.3 nC Surface Mount Logic Level Mosfet - DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 36mΩ 37mΩ@15A,10V
上升时间 10ns -
Qg-栅极电荷 15nC -
栅极电压Vgs 1.5V ±16V
正向跨导 - 最小值 11S -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 5V
封装/外壳 TO-252 D-Pak
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 15A 25A
配置 Single -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 5V,10V
下降时间 8ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 535pF @ 25V 710pF @ 25V
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 37W 57W(Tc)
典型关闭延迟时间 13ns -
FET类型 - N-Channel
系列 SQ HEXFET®
通道数量 1Channel -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 710pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20nC @ 5V
典型接通延迟时间 5ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 10V 20nC @ 5V
库存与单价
库存 25 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQD15N06-42L_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

TO-252

暂无价格 25 当前型号
IPD350N06LGBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD350N06L G_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
IPD25N06S240ATMA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD25N06S2-40_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
IRFR4105TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比
IPD25N06S2-40 Infineon  数据手册 通用MOSFET

IPD25N06S240ATMA2_PG-TO252-3-11

暂无价格 0 对比
IRLR3105TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售