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SQM120P10_10M1LGE3  与  AUIRFS4410Z  区别

型号 SQM120P10_10M1LGE3 AUIRFS4410Z
唯样编号 A-SQM120P10_10M1LGE3 A-AUIRFS4410Z
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 9.65mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.1mΩ 9mΩ@58A,10V
上升时间 100ns -
Qg-栅极电荷 190nC -
栅极电压Vgs 2.5V ±20V
正向跨导 - 最小值 60S -
封装/外壳 TO-263-3 D2PAK
连续漏极电流Id 120A 97A(Tc)
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C(TJ)
配置 Single -
长度 10.67mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 200ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4820pF @ 50V
高度 4.83mm -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 375W 230W(Tc)
典型关闭延迟时间 120ns -
FET类型 - N-Channel
系列 SQ -
通道数量 1Channel -
典型接通延迟时间 20ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQM120P10_10M1LGE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3 10.67mm

暂无价格 0 当前型号
PSMN012-80BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN012-80BS_SOT404

¥8.7175 

阶梯数 价格
210: ¥8.7175
400: ¥7.3877
800: ¥6.7777
0 对比
IRFS4410TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D²PAK(TO-263AB)

暂无价格 0 对比
AUIRFS4410Z Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比
BUK9611-80E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9611-80E_SOT404

¥11.8807 

阶梯数 价格
210: ¥11.8807
400: ¥10.0684
800: ¥9.2371
0 对比
BUK969R3-100E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK969R3-100E_SOT404

¥15.2386 

阶梯数 价格
210: ¥15.2386
400: ¥12.9141
800: ¥11.8478
0 对比

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