PJD13N10A_L2_00001 与 IRLR3410TRPBF 区别
| 型号 | PJD13N10A_L2_00001 | IRLR3410TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PJD13N10A_L2_00001 | A-IRLR3410TRPBF |
| 制造商 | Panjit | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | - | 79W(Tc) |
| 漏源极电压Vds | - | 100V |
| 栅极电压Vgs | 20V | ±16V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252AA | D-Pak |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 17A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 34nC @ 5V |
| 通道数 | Single | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4V,10V |
| 导通电阻Rds(On) | 120mΩ@4.5V | 105mΩ@10A,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 800pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 34nC @ 5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 2,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PJD13N10A_L2_00001 | Panjit | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252AA 20V 115mΩ@10V 120mΩ@4.5V N-Channel |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
|
STD80N10F7 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 10,000 | 对比 | ||||||||
|
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STD80N10F7 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
￥6.9911
|
2,482 | 对比 | ||||||||
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IRLR3410TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 105mΩ@10A,10V N-Channel 100V 17A D-Pak |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | ||||||||
|
DMN10H170SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 42W(Tc) ±20V TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 100V 12A(Tc) |
￥1.562
|
1,778 | 对比 | ||||||||
|
|
STD80N10F7 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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