PJD13N10A_L2_00001 与 DMN10H170SK3-13 区别
| 型号 | PJD13N10A_L2_00001 | DMN10H170SK3-13 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-PJD13N10A_L2_00001 | A36-DMN10H170SK3-13 | ||||||
| 制造商 | Panjit | Diodes Incorporated | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | - | 42W(Tc) | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | 100V | ||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 140mΩ@5A,10V | ||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 1167 pF @ 25 V | ||||||
| 栅极电压Vgs | 20V | ±20V | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 9.7 nC @ 10 V | ||||||
| 封装/外壳 | TO-252AA | TO-252-3 | ||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 12A(Tc) | ||||||
| 驱动电压 | - | 4.5V,10V | ||||||
| 通道数 | Single | - | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | 120mΩ@4.5V | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 1,778 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PJD13N10A_L2_00001 | Panjit | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252AA 20V 115mΩ@10V 120mΩ@4.5V N-Channel |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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STD80N10F7 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 10,000 | 对比 | ||||||||
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STD80N10F7 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
￥6.9911
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2,482 | 对比 | ||||||||
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IRLR3410TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 105mΩ@10A,10V N-Channel 100V 17A D-Pak |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | ||||||||
|
DMN10H170SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 42W(Tc) ±20V TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 100V 12A(Tc) |
￥1.562
|
1,778 | 对比 | ||||||||
|
|
STD80N10F7 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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