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SQ9945BEY-T1_GE3  与  DMNH6042SSD-13  区别

型号 SQ9945BEY-T1_GE3 DMNH6042SSD-13
唯样编号 A-SQ9945BEY-T1_GE3 A-DMNH6042SSD-13
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET 2 N-CH 60V 16.7A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 3.9mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 45mΩ -
上升时间 2.8ns,2.8ns -
Qg-栅极电荷 12nC,12nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 584pF @ 25V
栅极电压Vgs 1.5V -
正向跨导 - 最小值 12S,12S -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 4.2nC @ 4.5V
封装/外壳 SO-8 8-SO
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55℃~175℃(TJ)
连续漏极电流Id 5.4A 16.7A(Tc)
配置 Dual -
长度 4.9mm -
下降时间 1.7ns,1.7ns -
高度 1.75mm -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 4W -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 50mΩ@5.1A,10V
典型关闭延迟时间 17ns,17ns -
FET类型 - 2N-Channel
系列 SQ -
通道数量 2Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 470pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 10V -
典型接通延迟时间 6ns,6ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQ9945BEY-T1_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

SO-8 4.9mm

暂无价格 0 当前型号
SH8K32TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC

¥13.8916 

阶梯数 价格
1: ¥13.8916
1,000: ¥7.1125
2,500: ¥5.0499
2,500 对比
SH8K32TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC

暂无价格 2,200 对比
IRF7341TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOIC

暂无价格 0 对比
IRF7341TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOIC

暂无价格 0 对比
DMNH6042SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比

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