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SQ9945BEY-T1_GE3  与  IRF7341TRPBF  区别

型号 SQ9945BEY-T1_GE3 IRF7341TRPBF
唯样编号 A-SQ9945BEY-T1_GE3 A-IRF7341TRPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 3.9mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 45mΩ 50mΩ@4.7A,10V
上升时间 2.8ns,2.8ns -
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 4W 2W
Qg-栅极电荷 12nC,12nC -
栅极电压Vgs 1.5V ±20V
典型关闭延迟时间 17ns,17ns -
正向跨导 - 最小值 12S,12S -
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 SO-8 SOIC
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.4A 4.7A
系列 SQ HEXFET®
通道数量 2Channel -
配置 Dual -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 470pF @ 25V 740pF @ 25V
长度 4.9mm -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 10V 36nC @ 10V
下降时间 1.7ns,1.7ns -
典型接通延迟时间 6ns,6ns -
高度 1.75mm -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQ9945BEY-T1_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

SO-8 4.9mm

暂无价格 0 当前型号
SH8K32TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC

¥13.8916 

阶梯数 价格
1: ¥13.8916
1,000: ¥7.1125
2,500: ¥5.0499
2,500 对比
SH8K32TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC

暂无价格 2,200 对比
IRF7341TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOIC

暂无价格 0 对比
IRF7341TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOIC

暂无价格 0 对比
DMNH6042SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比

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