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PJQ4401P_R2_00001  与  AONR21357  区别

型号 PJQ4401P_R2_00001 AONR21357
唯样编号 A-PJQ4401P_R2_00001 A-AONR21357
制造商 Panjit AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 365
Rds On(Max)@Id,Vgs - 7.8mΩ@10V
ESD Diode - No
漏源极电压Vds - -30V
Rds On(Max)@4.5V - 12.3mΩ
Pd-功率耗散(Max) - 30W
Qrr(nC) - 32
VGS(th) - -2.3
Qgd(nC) - 12
栅极电压Vgs - 25V
FET类型 - P-Channel
封装/外壳 - DFN 3x3 EP
连续漏极电流Id - -34A
Ciss(pF) - 2830
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 62
Coss(pF) - 430
Qg*(nC) - 25
库存与单价
库存 0 446
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥4.5641
100+ :  ¥3.6327
1,000+ :  ¥2.6176
2,500+ :  ¥2.2532
5,000+ :  ¥1.78
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PJQ4401P_R2_00001 Panjit 功率MOSFET

暂无价格 0 当前型号
RQ3E120ATTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) HSMT 12A 2W 8mΩ@-12A,-10V 39V ±20V P-Channel

¥6.3244 

阶梯数 价格
30: ¥6.3244
50: ¥4.3984
100: ¥3.7564
300: ¥3.3251
500: ¥3.2389
1,000: ¥3.1718
4,000: ¥3.1239
23,995 对比
RQ3E120ATTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) HSMT 12A 2W 8mΩ@-12A,-10V 39V ±20V P-Channel

¥6.3244 

阶梯数 价格
30: ¥6.3244
50: ¥4.3984
100: ¥3.7564
300: ¥3.3251
500: ¥3.2389
1,000: ¥3.1718
4,000: ¥3.1239
13,011 对比
AONR21321 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP P-Channel -30V ±25V -24A 24W 16.5mΩ@12A,10V -55°C~150°C

¥1.4872 

阶梯数 价格
1: ¥1.4872
100: ¥1.1837
1,000: ¥0.8529
2,500: ¥0.7342
5,000: ¥0.58
3,140 对比
FDMC6679AZ ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

11.5A(Ta),20A(Tc) ±25V 2.3W(Ta),41W(Tc) 10m Ohms@11.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN MLP P-Channel 30V 11.5A 8-MLP(3.3x3.3)

暂无价格 3,036 对比
AONR21357 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP P-Channel -30V 25V -34A 30W 7.8mΩ@10V

¥4.5641 

阶梯数 价格
1: ¥4.5641
100: ¥3.6327
1,000: ¥2.6176
2,500: ¥2.2532
5,000: ¥1.78
446 对比

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