PJQ4401P_R2_00001 与 RQ3E120ATTB 区别
| 型号 | PJQ4401P_R2_00001 | RQ3E120ATTB | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A-PJQ4401P_R2_00001 | A33-RQ3E120ATTB | ||||||||||||||
| 制造商 | Panjit | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 宽度 | - | 2.4mm | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 8mΩ@-12A,-10V | ||||||||||||||
| 上升时间 | - | 30ns | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 39V | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2W | ||||||||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 62nC | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 140ns | ||||||||||||||
| FET类型 | - | P-Channel | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | - | HSMT | ||||||||||||||
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 12A | ||||||||||||||
| 系列 | - | RQ | ||||||||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 1mA | ||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3200pF @ 15V | ||||||||||||||
| 长度 | - | 3mm | ||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 62nC @ 10V | ||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||||||||||
| 下降时间 | - | 95ns | ||||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 20ns | ||||||||||||||
| 高度 | - | 0.85mm | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 0 | 13,011 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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PJQ4401P_R2_00001 | Panjit | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||||
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RQ3E120ATTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) HSMT 12A 2W 8mΩ@-12A,-10V 39V ±20V P-Channel |
￥6.3244
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23,995 | 对比 | ||||||||||||||||
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RQ3E120ATTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) HSMT 12A 2W 8mΩ@-12A,-10V 39V ±20V P-Channel |
￥6.3244
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13,011 | 对比 | ||||||||||||||||
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AONR21321 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP P-Channel -30V ±25V -24A 24W 16.5mΩ@12A,10V -55°C~150°C |
￥1.4872
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3,140 | 对比 | ||||||||||||||||
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FDMC6679AZ | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
11.5A(Ta),20A(Tc) ±25V 2.3W(Ta),41W(Tc) 10m Ohms@11.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN MLP P-Channel 30V 11.5A 8-MLP(3.3x3.3) |
暂无价格 | 3,036 | 对比 | ||||||||||||||||
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AONR21357 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP P-Channel -30V 25V -34A 30W 7.8mΩ@10V |
￥4.5641
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446 | 对比 |
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