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SQ2309ES-T1_GE3  与  ZXMP6A13FQTA  区别

型号 SQ2309ES-T1_GE3 ZXMP6A13FQTA
唯样编号 A-SQ2309ES-T1_GE3 A-ZXMP6A13FQTA
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET P-Channel 60 V 400 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.60mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 500mΩ 400mΩ@900mA,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Tc) 625mW(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 TO-236(SOT-23) SOT-23
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 1.7A 1.1A
系列 SQ -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 265pF @ 25V 219pF @ 30V
长度 2.9mm -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.5nC @ 10V 2.9nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
高度 1.45mm -
库存与单价
库存 15,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
3,000+ :  ¥1.0735
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQ2309ES-T1_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

TO-236(SOT-23) 2.9mm

¥1.0735 

阶梯数 价格
3,000: ¥1.0735
15,000 当前型号
DMP6350S-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 18,000 对比
ZXMP6A13FQTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比
DMP6350S-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 对比

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