首页 > 商品目录 > > > > SQD40N06-14L_GE3代替型号比较

SQD40N06-14L_GE3  与  IRFR2307ZTRLPBF  区别

型号 SQD40N06-14L_GE3 IRFR2307ZTRLPBF
唯样编号 A-SQD40N06-14L_GE3 A-IRFR2307ZTRLPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR2307ZTRLPBF, 53 A, Vds=75 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 6.22mm 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 11mΩ 16mΩ
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 2V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 TO-252 -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 40A 53A
长度 6.73mm 6.73mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2190pF @ 25V
高度 2.38mm 2.39mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 44 ns
漏源极电压Vds 2.5V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 75W(Tc) 110W
晶体管配置 -
FET类型 N-Channel -
系列 SQ HEXFET
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2105pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 51nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 16 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 75nC @ 10V
库存与单价
库存 15 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQD40N06-14L_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

TO-252 6.73mm

暂无价格 15 当前型号
IRFR2405TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比
IPD30N06S215ATMA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD30N06S2-15_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
IRFR3806PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比
IRFR2307ZTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

6.73mm

暂无价格 0 对比
AUIRFR3806TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-PAK(TO-252AA)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售