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SQD40N06-14L_GE3  与  IPD30N06S215ATMA2  区别

型号 SQD40N06-14L_GE3 IPD30N06S215ATMA2
唯样编号 A-SQD40N06-14L_GE3 A-IPD30N06S215ATMA2
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 6.22mm -
功率耗散(最大值) - 136W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 11mΩ -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1485pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 TO-252 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 40A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 10V
长度 6.73mm -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 14.7 毫欧 @ 30A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
高度 2.38mm -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 2.5V -
Pd-功率耗散(Max) 75W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 80uA
系列 SQ -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2105pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 51nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 30A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 55V
库存与单价
库存 15 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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