NVTFS5116PLTWG 与 SQ7415AEN-T1_GE3 区别
| 型号 | NVTFS5116PLTWG | SQ7415AEN-T1_GE3 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-NVTFS5116PLTWG | A-SQ7415AEN-T1_GE3 | ||
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 65mΩ | ||
| 产品特性 | 车规 | 车规 | ||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 53W(Tc) | ||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||
| FET类型 | - | P-Channel | ||
| 封装/外壳 | 8-WDFN(3.3x3.3) | PowerPak1212-8 | ||
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | - | 16A | ||
| 系列 | - | SQ | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1385pF @ 25V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 38nC @ 10V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 22 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NVTFS5116PLTWG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
|
NVTFS5116PLTAG | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
P-Channel 6A(Ta) ±20V 52 毫欧 @ 7A,10V -55°C~175°C(TJ) WDFN 60V 6A 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||
|
|
NVTFS5116PLWFTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
SQ7415AEN-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 53W(Tc) -55°C~175°C(TJ) PowerPak1212-8 P-Channel 60V 16A 65mΩ 车规 |
暂无价格 | 24,000 | 对比 | ||||
|
NVTFS5116PL | XBLW | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN3X3-8L |
暂无价格 | 5,000 | 对比 | ||||
|
|
SQ7415AEN-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 53W(Tc) -55°C~175°C(TJ) PowerPak1212-8 P-Channel 60V 16A 65mΩ 车规 |
￥2.9726
|
22 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
