NVTFS5116PLTWG 与 SQ7415AEN-T1_GE3 区别
| 型号 | NVTFS5116PLTWG | SQ7415AEN-T1_GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-NVTFS5116PLTWG | A3-SQ7415AEN-T1_GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 65mΩ |
| 产品特性 | 车规 | 车规 |
| 漏源极电压Vds | - | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 53W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | P-Channel |
| 封装/外壳 | 8-WDFN(3.3x3.3) | PowerPak1212-8 |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 16A |
| 系列 | - | SQ |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1385pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 38nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 24,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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NVTFS5116PLTWG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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NVTFS5116PLTAG | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
P-Channel 6A(Ta) ±20V 52 毫欧 @ 7A,10V -55°C~175°C(TJ) WDFN 60V 6A 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||
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NVTFS5116PLWFTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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SQ7415AEN-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 53W(Tc) -55°C~175°C(TJ) PowerPak1212-8 P-Channel 60V 16A 65mΩ 车规 |
暂无价格 | 24,000 | 对比 | ||||
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NVTFS5116PL | XBLW | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN3X3-8L |
暂无价格 | 5,000 | 对比 | ||||
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SQ7415AEN-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 53W(Tc) -55°C~175°C(TJ) PowerPak1212-8 P-Channel 60V 16A 65mΩ 车规 |
￥2.9726
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22 | 对比 |
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