RHK003N06FRAT146 与 SQ2308CES-T1_GE3 区别
| 型号 | RHK003N06FRAT146 | SQ2308CES-T1_GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-RHK003N06FRAT146 | A3t-SQ2308CES-T1_GE3 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1Ω@300mA,10V | 150mΩ@2.3A,10V |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| 产品特性 | 车规 | 车规 |
| Pd-功率耗散(Max) | 200mW(Ta) | 2W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23-3 |
| 连续漏极电流Id | 300mA(Ta) | 2.3A(Tc) |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 系列 | - | SQ |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 205pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5.3nC @ 10V |
| 栅极电荷Qg | 6nC@10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 205pF @ 30V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5.3nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RHK003N06FRAT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
300mA(Ta) N-Channel ±20V 1Ω@300mA,10V 200mW(Ta) SOT-23-3 150°C(TJ) 60V 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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SQ2308CES-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Tc) -55°C~175°C(TJ) SOT-23-3 N-Channel 60V 2.3A(Tc) 150mΩ@2.3A,10V 车规 |
￥1.7094
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135 | 对比 | ||||
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SQ2308CES-T1_GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Tc) -55°C~175°C(TJ) SOT-23-3 N-Channel 60V 2.3A(Tc) 150mΩ@2.3A,10V 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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