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SQM90142E_GE3  与  IPB156N22NFD  区别

型号 SQM90142E_GE3 IPB156N22NFD
唯样编号 A-SQM90142E_GE3 A-IPB156N22NFD
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 200V 95A TO263
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 15.3mΩ@20A,10V 12.9mΩ(15.6mΩ)
Rth - 0.3 K/W
栅极电压Vgs ±20V 3V,2V,4V
RthJA max - 62.0K/W
Special Features - Fast Diode
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK (TO-263)
连续漏极电流Id 95A(Tc) 72A
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
QG (typ @10V) - 66.0 nC
Ptot max - 300.0W
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4200pF @ 25V -
Budgetary Price €€/1k - 2.59
漏源极电压Vds 200V 220V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 375W(Tc) -
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 9.4nC
Pin Count - 3.0Pins
Mounting - SMD
RthJC max - 0.5 K/W
系列 汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 85nC @ 10V -
库存与单价
库存 81 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
800+ :  ¥24.6429
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQM90142E_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

¥24.6429 

阶梯数 价格
800: ¥24.6429
81 当前型号
IPB156N22NFDATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB156N22NFD_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
IPB156N22NFD Infineon  数据手册 通用MOSFET

IPB156N22NFDATMA1_D2PAK(TO-263)

暂无价格 0 对比

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