首页 > 商品目录 > > > > SQM90142E_GE3代替型号比较

SQM90142E_GE3  与  IPB156N22NFDATMA1  区别

型号 SQM90142E_GE3 IPB156N22NFDATMA1
唯样编号 A-SQM90142E_GE3 A-IPB156N22NFDATMA1
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 200V 95A TO263 MOSFET N-CH 220V 72A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 300W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 15.3mΩ@20A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 200V -
Pd-功率耗散(Max) 375W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 6930pF @ 110V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak,TO-263AB TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
连续漏极电流Id 95A(Tc) -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 270uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 87nC @ 10V
系列 汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 15.6 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 72A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 220V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4200pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 85nC @ 10V -
库存与单价
库存 81 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
800+ :  ¥24.6429
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SQM90142E_GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

¥24.6429 

阶梯数 价格
800: ¥24.6429
81 当前型号
IPB156N22NFDATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB156N22NFD_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
IPB156N22NFD Infineon  数据手册 通用MOSFET

IPB156N22NFDATMA1_D2PAK(TO-263)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售