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VISHAY功率MOSFET&超快恢复整流管

适用于逆变器、转换器、电源管理等应用环境

SI2301CDS-T1-GE3 功率型 MOSFET:

其漏极击穿电压为 20V V (DS) , 100% 经过栅极电阻 (R g) 测试。                
针对 1MHz 频率阻测试,电阻值为 6Ω 。工作结温和存储温度为 -55ºC 至 150ºC 。

A-US1M-E3/61T 超快恢复整流管:

超快的反向恢复时间,低开关损耗,高效率,高前锋激增能力。
AEC-Q101 合格可用

图片信息
upfile
SI2301CDS-T1-GE3
upfile
US1M-E3/61T


SI2301CDS-T1-GE3功率型MOSFET管相关参数信息:

封装 / 箱体:SOT-23-3最小工作温度:- 55 C
通道数量:1 Channel最大工作温度:+ 150 C
晶体管极性:P-Channel配置:Single
Vds-漏源极击穿电压:- 20 VPd-功率耗散:1.6 W
Id-连续漏极电流:- 3.1 A典型关闭延迟时间:30 ns
Rds On-漏源导通电阻:112 mOhms典型接通延迟时间:11 ns
Vgs   th-栅源极阈值电压:- 0.4 V正向跨导 - 最小值:9.5 S
Vgs - 栅极-源极电压:- 4.5 V下降时间:10 ns
Qg-栅极电荷:10 nC

US1M-E3/61T 超快恢复整流管 相关参数信息 :

二极管类型标准
电压 - DC   反向(Vr)(最大值)1000V
电流 - 平均整流(Io)1A
不同 If 时的电压 -   正向(Vf1.7V @ 1A
速度快速恢复   =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)75ns
不同 Vr 时的电流 -   反向漏电流10μA @ 1000V
不同 Vr,F 时的电容10pF @ 4V,1MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳DO-214AC,SMA
供应商器件封装DO-214AC(SMA)
工作温度 - 结-55°C ~ 150°C




应用于逆变器的案例分享
(文章主要内容来源于主流网站,内容仅供参考)

一、前言

目前,逆变器的已经在很多领域应用到,比如电脑、电视、洗衣机、空调、家庭影院、电动砂轮、电动工具、缝纫机、录像机、按摩器、风扇、照明等等。

逆变器是一种能够进行电能转换的器件,当输入的是直流电是,输出就会变成交流电,而且一般是为 220v50HZ 正弦或方波。它与应急电源的工作原理是相反的,逆变器一般由控制逻辑、滤波电路和逆变桥组成。

二、超快恢复整流二极管 & MOSFET 功率管 在逆变器中的应用 :

在家电应用中,最主要的就是高效率和节能,三相无刷直流电机正是因为具有效率高、尺寸小的优点,被广泛的应用在家电设备及其他很多应用中。除此之外,由于还将机械换向装置替换成电子换向器,三相无刷电机进而被认为可靠性比原来更高了。

upfile

标准的三相功率级 (power stage) 被用来驱动一个三相无刷直流电机,如附图所示 功率级产生一个电场,为了使电机很好地工作,这个电场必须保持与转子磁场之间的角度接近 90 °。六步序列控制产生6 个定子磁场向量,这些向量必须在一个指定的转子位置下改变。霍尔效应传感器扫描转子的位置。为了向转子提供6 个步进电流,功率级利用6 个可以按不同的特定序列切换的 功率 MOSFET---- Vishay( 威世 )SI2301CDS-T1-GE3 功率型 MOSFET 管

下面解释一个常用的切换模式,可提供 6 个步进电流 :
MOSFET Q1 、 Q3 和 Q5 高频 (HF) 切换, Q2 、 Q4 和 Q6 低频 (LF) 切换。当一个低频 MOSFET 处于开状态,而且一个高频 MOSFET 处于切换状态时,就会产生一个功率级。
 步骤 1:
功率级同时给两个相位供电,而对第三个相位未供电。假设供电相位为 L1 、 L2 , L3 未供电。在这种情况下, MOSFET Q1 和 Q2 处于导通状态,电流流经 Q1 、 L1 、 L2 和 Q4 。
 步骤 2:
MOSFET Q1 关断。因为电感不能突然中断电流,它会产生额外电压,直到体二极管 D2 被直接偏置,并允许续流电流流过。续流电流的路径为 D2 、 L1 、 L2 和 Q4 。
步骤 3:
Q1 打开,体二极管 D2 突然反偏置。 Q1 上总的电流为供电电流与二极管 D2 上的恢复电流之和.显示出其中的体 - 漏二极管。电流流入到体 - 漏二极管 D2( 见附图 ) ,该二极管被正向偏置,少数载流子注入到二极管的区和 P 区。

当 MOSFET Q1 导通时,二极管 D2 被反向偏置, N 区的少数载流子进入 P+ 体区,反之亦然。这种快速转移导致大量的电流流经二极管,从 N-epi 到 P+ 区,即从漏极到源极。电感 L1 对于流经 Q2 和 Q1 的尖峰电流表现出高阻抗。 Q1 表现出额外的电流尖峰,增加了在导通期间的开关损耗。

Vishay 超快恢复整流二极管 US1M-E3/61T可以很好的改善在这些特殊应用中体二极管的性能,从而使电路设计得到保障。


SI2301CDS-T1-GE3功率型MOSFET管

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A-US1M-E3/61T超快恢复整流管

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