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较新的工艺节点降低了新无线基带处理器的电压，所以需要使用电压电平转换器，以便与 B 类和 C 类 SIM（用户身份模块）卡解决方案通信，并支持未来 1.2 V 的 IO 电压。
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日宣布推出 PMCB60XN 和 PMCB60XNE 30V N 沟道小信号 Trench MOSFET
电源开发通常是一个艰难的过程。无论是用于交流电设备还是便携式设备，用户都期望电源达到很高的效率，同时尽可能保持小巧紧凑。成本也是一个重要因素，另外电源还必须是安全可靠的，这一点不言自明。
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出采用超小 DFN 封装的新系列 20 V和 30 V MOSFET DFN0603。
基础半导体器件领域的专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出两款经优化的静电放电（ESD）保护二极管件，适用于高速数据线中的重定时器和信号中继器。
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日宣布与国际著名的为汽车行业提供先进电子器件的供应商 KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH 建立合作关系，携手研发车规氮化镓（GaN）功率模块。
基础半导体领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）今日宣布推出适用于电力应用的 14 款整流二极管，采用其新型 CFP2-HP（铜夹片粘合 FlatPower）封装。
基础半导体器件领域的专家 Nexperia（安世半导体）推出了用于自动化安全气囊应用的专用 MOSFET (ASFET) 新产品组合，重点发布的 BUK9M20-60EL 为单 N 沟道 60 V、13 mOhm 导通内阻、逻辑控制电平 MOSFET，应用于 LFPAK33 封装。
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