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较新的工艺节点降低了新无线基带处理器的电压,所以需要使用电压电平转换器,以便与 B 类和 C 类 SIM(用户身份模块)卡解决方案通信,并支持未来 1.2 V 的 IO 电压。
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)近日宣布推出 PMCB60XN 和 PMCB60XNE 30V N 沟道小信号 Trench MOSFET
电源开发通常是一个艰难的过程。无论是用于交流电设备还是便携式设备,用户都期望电源达到很高的效率,同时尽可能保持小巧紧凑。成本也是一个重要因素,另外电源还必须是安全可靠的,这一点不言自明。
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出采用超小 DFN 封装的新系列 20 V和 30 V MOSFET DFN0603。
基础半导体器件领域的专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出两款经优化的静电放电(ESD)保护二极管件,适用于高速数据线中的重定时器和信号中继器。
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)近日宣布与国际著名的为汽车行业提供先进电子器件的供应商 KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH 建立合作关系,携手研发车规氮化镓(GaN)功率模块。
基础半导体领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)今日宣布推出适用于电力应用的 14 款整流二极管,采用其新型 CFP2-HP(铜夹片粘合 FlatPower)封装。
基础半导体器件领域的专家 Nexperia(安世半导体)推出了用于自动化安全气囊应用的专用 MOSFET (ASFET) 新产品组合,重点发布的 BUK9M20-60EL 为单 N 沟道 60 V、13 mOhm 导通内阻、逻辑控制电平 MOSFET,应用于 LFPAK33 封装。
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