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SJ MOSFET是一种超结构MOSFET,主要应用于高压(600V-800V)领域。
SiC MOSFET 凭借着耐高压、耐高频、耐高温等独特优势,受到许多人关注。
Vishay 推出新型第四代 650 V E 系列功率 MOSFET,提高通信、工业和计算应用能效和功率密度。
新型AOCR33105E采用最新沟槽功率 MOSFET 技术设计,共漏极结构,简化客户设计。
大容量充放电管理模块 MOSFET 的选型及应用
电池管理系统是一种能够对电池进行监控和管理的电子装备,是电池与用户之间的纽带。
未来电力电子系统的设计将持续推进,以实现最高水平的性能和功率密度。
Vishay 推出两款新型 30 V 对称双通道 n 沟道功率 MOSFET,将高边和低边 TrenchFET® Gen V MOSFET 组合在 3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS 单体封装中。
寒潮之下,手机行业如何破局成为关键!
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