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ROHM最近推出了SiC MOSFET的新系列产品“SCT3xxx xR系列”。SCT3xxx xR系列采用最新的沟槽栅极结构，进一步降低了导通电阻；同时通过采用单独设置栅极驱动器用源极引脚的4引脚封装，改善了开关特性，使开关损耗可以降低35%左右。
Microsemi公司的MSCSICSP6/REF3是新一代SiC MOSFETS和SiC SBD,具有零反向恢复电荷,从而提升系统效率,具有高热导率,是通常硅器件的2.5X。
PowerInt公司的SID1183K是eSOP封装的单路IGBT和MOSFET驱动器,采用创新的固态隔离器FluxLink技术的电隔离.峰值输出驱动电流8A,其它特性包括具有先进软关断(ASSD)的短路保护(DESAT),欠压锁住(UVLO),适合于1700V IGBT和MOSFET开关,开关频率高达75kHz,传输时延260ns,传输时延抖动±5 ns,工作温度-40℃ 到125℃,主要用在通用和伺服驱动,UPS,太阳能,焊接逆变器和电源.
infineon公司的评估板EVAL-IGBT-1200V-TO247PLUS是用来评估TO-247 3引脚/4引脚封装的1200V CoolSiC™ MOSFET的实验室产品,具有两种工作模式,用来研究开关特性和测量不同条件下IGBT和二
On Semi公司的CP51705是单路6A高速低边SiC MOSFET驱动器,源电流和沉电流6A,为了获得最低的导通损耗,驱动器能对SiC MOSFET提供最大限度的栅极电压,主要用在驱动SiC MOSFET器件,工业逆变器,马达驱动器以
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