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Vishay 推出采用 PowerPAK® 10x12 封装的新型 40 V TrenchFET® 四代 N 沟道功率 MOSFET,器件拥有优异的导通电阻,能够为工业应用提供更高的效率和功率密度。
现代车辆电气系统的结构变得越来越复杂。这是由于负载数量的增加,从铅酸电池转变为锂离子或其他类型电池,以及对失效可操作等功能安全措施的需求。
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)近日宣布,公司正在持续扩充其NextPower 80 V和100 V MOSFET产品组合,并推出了几款采用行业标准5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。
~符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101,有助于车载应用的高效运行和小型化~
随着人工智能(AI)处理器对功率的要求日益提高,服务器电源(PSU)必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率,这主要是因为高级GPU的能源需求激增。
在英飞凌,CoolMOS™ 8的推出意味着这些投入已经取得了成效。它是一项先进的MOSFET技术,集成快速体二极管,能够让设计人员和工程师前所未有地获益。
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