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随着人工智能(AI)处理器对功率的要求日益提高,服务器电源(PSU)必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率,这主要是因为高级GPU的能源需求激增。
在英飞凌,CoolMOS™ 8的推出意味着这些投入已经取得了成效。它是一项先进的MOSFET技术,集成快速体二极管,能够让设计人员和工程师前所未有地获益。
评估板EVAL-FFXMR20KM1HDR可以帮助客户快速启动基于2kV碳化硅MOSFET样机的特性测试。评估板使用EiceDRIVER™ 1ED38x0Mc12M数字驱动电路,参数可以通过I2C-BUS灵活设置。
得益于宽禁带半导体的材料优势,SiC MOSFET在电力电子行业中的应用越来越广泛。SiC MOSFET很多性能与传统Si基器件不同,对驱动设计也提出了更高的要求。。。
Vishay 推出首款采用新型 PowerPAK® 8 x 8 LR 封装的第四代 600 V E 系列功率MOSFET,为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。
本期微碧VBsemi给大家介绍近期上新的一款N沟道MOSFET产品,型号为VBL7601,,它可应用于电机驱动电路、充电器等电路。
Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET® 第五代功率 MOSFET,进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度,增强热性能。
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