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IPAC碳化硅直播季 | 如何应用CoolSiC™ MOSFET设计高能效系统？

碳化硅直播季首场直播收获了过万的观看量，“打铁需趁热”，第一期话题直直戳中了可靠性这个核心战场，第二期就必须得火力全开，带您探索怎么把碳化硅的优势发挥到极致。

2025-06-30 58 4 4 MOSFET , 碳化硅 , 英飞凌
安世产品推荐 | 碳化硅MOSFET：提升安全、稳健且可靠的电源开关性能

面对大功率和高电压应用不断增长的需求，Nexperia（安世半导体）正式推出了碳化硅（SiC）MOSFET。

2025-06-26 55 2 2 碳化硅MOSFET , MOSFET , 安世
英飞凌新品 | 采用顶部散热 Q-DPAK封装的 CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET

英飞凌采用顶部散热Q-DPAK封装的CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET单管，专为各种工业应用开发，包括工业驱动、电动汽车充电、太阳能，SSCB，人工智能，不间断电源和CAV等。

2025-06-25 60 1 1 SiC MOSFET , MOS管 , 英飞凌工业应用
VBGED1401——LFPAK56封装，40V/0.8mΩ超低阻SGT MOSFET，刷新了中压MOSFET的性能极限

VBGED1401一款采用LFPAK56封装的单N沟道MOSFET，以40V耐压、150A超高电流承载能力及0.8mΩ（@VGS=10V）的导通电阻，刷新了中压MOSFET的性能极限。

2025-06-23 42 0 0 VBGED1401 , 微碧 , 中压MOSFET
AOS | 突破传统！GTPAK顶部散热MOSFET的创新设计

针对工业及大电流应用对功率需求的不断提升，AOS推出创新型GTPAK功率MOSFET封装方案。该封装采用顶部散热技术，通过大面积裸露焊盘将热量高效传导至散热片，显著提升功率密度和散热效率，相比传统PCB底部散热方式具有明显优势。

2025-06-19 72 0 0 MOSFET , AOS
独创PWM-PFM-MOSFET—VBP2205N让AI智能烤箱重塑高端烹饪电器的功率边界

微碧半导体（VBsemi）最新发布的VBP2205N中压MOSFET，以其-200V/55A/50mΩ的卓越性能参数，正在重新定义智能烤箱的功率控制精度与能效标准。

2025-06-13 58 0 0 VBsemi , MOSFET
新品 | 6.5A，5.7kVRMS单通道带隔离电源的栅极驱动器评估板——SiC MOSFET半桥电路

该电路板包括两个1ED314xMC12H隔离栅极驱动器，两个IMZA120R020M1H CoolSiC™ 1200V SiC沟槽SiC MOSFET。

2025-06-06 106 1 1 栅极驱动器 , SiC MOSFET , 英飞凌工业应用
碳化硅何以英飞凌？—— SiC MOSFET性能评价的真相

在碳化硅（SiC）技术的应用中，许多工程师对SiC的性能评价存在误解，尤其是关于“单位面积导通电阻（Rsp）”和“高温漂移”的问题。

2025-06-05 102 1 1 碳化硅 , SiC MOSFET , 英飞凌工业应用
ROHM开发出适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET

~兼具更宽SOA范围和更低导通电阻，被全球知名云平台企业认证为推荐器件~

2025-06-03 94 1 1 功率MOSFET , MOSFET , ROHM
新品快讯 | Nexperia推出行业领先的D2PAK-7封装车规级1200 V碳化硅MOSFET

Nexperia推出车规级碳化硅 MOSFET，具备行业领先的品质因数和行业领先的温度稳定性，可实现更高的输出功率，为客户带来显著的成本优势。采用SMD封装技术，降低散热要求，提高能效。

2025-05-22 85 1 1 Nexperia , 碳化硅 , MOSFET