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英飞凌新品 | 采用.XT扩散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列

EasyPACK™ 2C 1200V 8mΩ三电平模块、EasyPACK™ 2C 1200V 8mΩ四单元模块以及EasyPACK™ 1C 1200V 13mΩ四单元模块，搭载第二代CoolSiC™ MOSFET技术。。。

2025-11-26 108 0 0 SiC MOSFET , 英飞凌工业应用
英飞凌新品 | 第二代CoolSiC™ MOSFET G2 1400V，TO-247PLUS-4回流焊封装

采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiC™ MOSFET G2 1400V功率器件，是电动汽车充电、储能系统、工业变频器等大功率输出应用的理想选择。

2025-11-19 73 0 0 MOSFET G2 , 英飞凌工业应用
ROHM推出适用于AI服务器的宽SOA范围5×6mm小尺寸MOSFET

ROHM今日宣布，开发出实现业界超宽SOA*1范围的100V耐压功率MOSFET“RS7P200BM”。

2025-11-12 194 0 0 ROHM , MOSFET , 罗姆
体积更小且支持大功率！ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET

2025年10月16日——全球知名半导体制造商ROHM今日宣布，已开始量产TOLL（TO-LeadLess）封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。

2025-10-16 311 0 0 ROHM , SiC MOSFET
英飞凌推出采用Q-DPAK 封装的CoolSiC™ MOSFET 1200V G2，将工业应用功率密度提升至新高度

英飞凌近日推出了采用顶部散热（TSC）Q-DPAK封装的CoolSiC™ MOSFET 1200V G2。

2025-09-26 120 1 1 MOSFET , 英飞凌工业应用
英飞凌 | CoolSiC™ 2000V SiC 沟槽栅MOSFET定义新能源应用中功率密度增强的新基准

本文介绍了新的CoolSiC™ 2000V SiC沟槽栅MOSFET系列。该系列单管产品采用新的TO-247PLUS-4-HCC封装，具有加大的爬电距离和电气间隙，使用.XT焊接芯片技术。

2025-09-19 496 1 1 MOSFET , 功率器件 , 英飞凌工业应用
Vishay | MOSFET 的顶部散热：与 PCB 和双面散热相比，散热管理更出色

本文将重点阐述顶部散热相较于传统 PCB 散热及双面散热方案所具有的核心优势。

2025-09-16 259 4 4 MOSFET , PCB , Vishay
新一代电源设计：基于FRD MOSFET的高效、高可靠设计解决方案

本篇文章阐述了工程师在应用超结功率器件时需关注的关键问题，并提出了一种优化解决方案，可显著提升电源应用的效率、功率密度及可靠性。

2025-09-11 298 4 4 FRD MOSFET , AOS
英飞凌 | 采用ThinTOLL 8x8封装的CoolSiC™ 650V G2 SiC MOSFET新增26mΩ，33mΩ产品

第二代CoolSiC™ MOSFET 650V G2分立器件产品线现扩充ThinTOLL 8x8封装的26mΩ和33mΩ型号，将导通电阻(RDS(on))的覆盖范围扩展至20mΩ到60mΩ，提供更精细的选型梯度。

2025-08-28 313 1 1 SiC MOSFET , 英飞凌工业应用
IPAC碳化硅直播季丨CoolSiC™ MOSFET并联技术和驱动设计深度指南

今年IPAC碳化硅直播季，英飞凌“攻城狮”强势集结，从器件性能、系统应用价值、设计要点层层递进。。。

2025-08-20 131 1 1 MOSFET , 碳化硅 , 直播 , 英飞凌