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第二代CoolSiC™ MOSFET 650V G2分立器件产品线现扩充ThinTOLL 8x8封装的26mΩ和33mΩ型号,将导通电阻(RDS(on))的覆盖范围扩展至20mΩ到60mΩ,提供更精细的选型梯度。
今年IPAC碳化硅直播季,英飞凌“攻城狮”强势集结,从器件性能、系统应用价值、设计要点层层递进。。。
第二代750V CoolSiC™ MOSFET凭借成熟的栅极氧化层技术,在抗寄生导通方面展现出业界领先的可靠性。
之前两篇文章我们分别介绍了CoolSiC™ MOSFET G2的产品特点及导通特性(参考阅读:CoolSiC™ MOSFET Gen2性能综述,CoolSiC™ MOSFET G2导通特性解析),今天我们分析一下在软开关和硬开关两种场景下,如何进行CoolSiC™ MOSFET G2的选型。
英飞凌EasyDUAL™和EasyPACK™ 2B 2kV、6mΩ半桥和三电平模块采用CoolSiC™ SiC MOSFET增强型1代M1H芯片,集成NTC温度传感器,PressFIT触点技术和氮化铝陶瓷DCB。
碳化硅直播季首场直播收获了过万的观看量,“打铁需趁热”,第一期话题直直戳中了可靠性这个核心战场,第二期就必须得火力全开,带您探索怎么把碳化硅的优势发挥到极致。
英飞凌采用顶部散热Q-DPAK封装的CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET单管,专为各种工业应用开发,包括工业驱动、电动汽车充电、太阳能,SSCB,人工智能,不间断电源和CAV等。
VBGED1401一款采用LFPAK56封装的单N沟道MOSFET,以40V耐压、150A超高电流承载能力及0.8mΩ(@VGS=10V)的导通电阻,刷新了中压MOSFET的性能极限。
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