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安世半导体6.1超级品牌周即将启幕！

Nexperia超级品牌周首次亮相，超大活动力度购足你所需！

2020-05-29 403 安世半导体 , MOSFET , 二极管
ROHM罗姆SiC MOSFET的新产品为何采用4引脚封装

ROHM最近推出了SiC MOSFET的新系列产品“SCT3xxx xR系列”。SCT3xxx xR系列采用最新的沟槽栅极结构，进一步降低了导通电阻；同时通过采用单独设置栅极驱动器用源极引脚的4引脚封装，改善了开关特性，使开关损耗可以降低35%左右。

2020-05-07 166 ROHM , SiC MOSFET , SCT3xxx xR
闻泰科技加大对安世投资，将高功率MOSFET产线引入中国

安世先进的封测技术和高功率MOSFET产品即将被引入中国

2020-04-29 286 MOSFET , 安世半导体 , 并购
唯样与信安半导体达成授权合作！

唯样与信安半导体（Truesemi）签署战略合作协议

2020-04-08 487 功率器件 , MOSFET , 代理授权
Microsemi MSCSICSP6(REF3)高温SiC MOSFET解决方案

Microsemi公司的MSCSICSP6/REF3是新一代SiC MOSFETS和SiC SBD,具有零反向恢复电荷,从而提升系统效率,具有高热导率,是通常硅器件的2.5X。

2018-08-14 2791 SiC MOSFET，工业应用，汽车电子，智能能源
PowerInt SID1183K单路IGBT和MOSFET驱动方案

PowerInt公司的SID1183K是eSOP封装的单路IGBT和MOSFET驱动器,采用创新的固态隔离器FluxLink技术的电隔离.峰值输出驱动电流8A,其它特性包括具有先进软关断(ASSD)的短路保护(DESAT),欠压锁住(UVLO),适合于1700V IGBT和MOSFET开关,开关频率高达75kHz,传输时延260ns,传输时延抖动±5 ns,工作温度-40℃ 到125℃,主要用在通用和伺服驱动,UPS,太阳能,焊接逆变器和电源.

2018-07-26 1152 电源管理 , IGBT , MOSFET , SID1183K
Infineon1200V CoolSiC MOSFET评估方案

infineon公司的评估板EVAL-IGBT-1200V-TO247PLUS是用来评估TO-247 3引脚/4引脚封装的1200V CoolSiC™ MOSFET的实验室产品,具有两种工作模式,用来研究开关特性和测量不同条件下IGBT和二

2018-07-26 400 电源管理 , CoolSiC MOSFET , IGBT
On Semi CP51705单路6ASiC MOSFET驱动方案

On Semi公司的CP51705是单路6A高速低边SiC MOSFET驱动器,源电流和沉电流6A,为了获得最低的导通损耗,驱动器能对SiC MOSFET提供最大限度的栅极电压,主要用在驱动SiC MOSFET器件,工业逆变器,马达驱动器以

2018-07-25 2128 电源管理 , SiC MOSFET , AC／DC转换器 , DC／DC转换器 , 马达驱动
PowerInt SID1183K单路1700V IGBT和MOSFET驱动方案

PowerInt公司的SID1183K是采用eSOP封装的单路1700V IGBT和MOSFET驱动器,栅极峰值驱动电流高达8A,集成的FluxLink™在初级和次级间提供电隔离,高达75kHz开关频率,传输时延260ns,传输时延抖动±5

2018-07-25 709 电源管理 , IGBT／MOSFET驱动器 , UPS , 太阳能 , SID1183K
飞兆半导体光电耦合器提供同级最佳的抗噪性能-电子技术方案|电路图讲解

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为光伏逆变器、电机驱动和感应加热应用的设计人员带来同级最佳共模抑制 (common mode rejection, CMR) 光电耦合器解决方案，型号为 FOD3120 和 FOD3150。这两种产品是输出电流分别为2.5A和1A的栅极驱动光电耦合器，具有业界最高的CMR值，即使在最噪杂（干扰最恶劣）的工业环境中，也能够轻易驱动1200V/20A IGBT和MOSFET，而这种抗噪性能（高抗干扰性能）有助于（能够）防止可能导致击穿电流（短

2018-07-23 255 IGBT , CMR , MOSFET