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Vishay | 行业标准 SOT-227 封装的 1200 V SiC MOSFET 功率模块提升功率效率

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Vishay 宣布,推出五款全新的 1200 V MOSFET 功率模块,其目标在于提升汽车、能源、工业及通信系统中高频应用的功率效率。【唯样已成为Vishay/威世官方授权代理商】

唯样已成为Vishay/威世官方授权代理商


1200 V MOSFET 功率模块


  • 这些器件可作为中高频应用中竞品的“即插即用”型替代方案

Vishay 宣布,推出五款全新的 1200 V MOSFET 功率模块,其目标在于提升汽车、能源、工业及通信系统中高频应用的功率效率。Vishay VS-SF50LA120VS-SF50SA120VS-SF100SA120VS-SF150SA120 和 VS-SF200SA120 采用了Vishay最新一代碳化硅(SiCMOSFET,并且以行业标准的 SOT-227 形式进行封装。
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此次推出的每个功率模块都采用单开关和低边斩波器配置,内置的 SiC MOSFET 集成了软体二极管,可实现低反向恢复特性。这种设计降低了开关损耗,提高了效率,可适用于太阳能逆变器、电动汽车(EV)车载充电器、SMPS、直流/直流转换器、不间断电源(UPS)、暖通空调(HVAC)系统、大规模电池储能系统以及通信电源设备等领域。

VS-SF50LA120VS-SF50SA120VS-SF100SA120VS-SF150SA120 和 VS-SF200SA120 采用紧凑型的 SOT-227 封装,使得这些器件能够作为现有设计中竞品的“即插即用”型替代方案。这样,设计人员无需对 PCB 布局进行更改,即可采用最新的 SiC 技术,从而节省成本。模压封装还可提供高达 2500 V(一分钟)的电气绝缘,通过消除组件与散热器之间对额外绝缘措施的需求,进一步降低了成本。

这些功率模块提供 50 A 至 200 A 的连续漏极电流,导通电阻低至 12.1 mΩ。这些器件符合 RoHS 标准,具备低电容高速开关特性,并可支持 +175 °的最高工作结温

器件规格表


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