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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 19.5nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1293pF @ 20V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 3W(Ta),30W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 7mΩ@18A,10V | |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | HSOP | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 40V | |
| 连续漏极电流Id | 18A |
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具有60V漏源电压（VDSS）和±15.5A连续漏极电流，适用开关、电机驱动器和直流/直流转换器
一款具有快速反向恢复时间 (trr) 的功率 MOSFET
高可靠性车规小信号MOSFET，适用于开关和低侧负载开关、继电器驱动器
低导通电阻，高功率，小尺寸封装
设计用于12V汽车应用，具有内置OCP、双TSD和有源钳位功能
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LMP22D5N3T5G | 200,000 |
| PJA3441-AU_R1_000A1 | 33,000 |
| IPB200N25N3 G | 33,000 |
| PMPB215ENEAX | 18,000 |
| PJA3440-AU_R1_000A1 | 15,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RS1G180MNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IPC50N04S5L5R5ATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPC50N04S5L-5R5_8-PowerTDFN |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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