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功率MOSFET   HSOP

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制造商编号 RS1G180MNTB
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A-RS1G180MNTB
供货 唯样自营
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
RS1G180MN Series 40 V 18 A 19.5 nC Surface Mount N-Channel Power Mosfet - HSOP-8
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 19.5nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1293pF @ 20V
栅极电压Vgs ±20V
Pd-功率耗散(Max) 3W(Ta),30W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 7mΩ@18A,10V
工作温度 150°C(TJ)
封装/外壳 HSOP
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 40V
连续漏极电流Id 18A
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库存 :  27,500

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最小包装 2,500  
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少 ,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
起订量 1
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:

总价:

购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

数量 单价(含税) 合计
1+ ¥24.129583 ¥24.129583
100+ ¥12.619772 ¥1261.9772
1,000+ ¥6.890395 ¥6890.395
1,250+ ¥4.671688 ¥5839.61

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2,500+ ¥3.480408 ¥8701.02

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