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ROHM RH6/RS6系列N-CH功率MOSFET

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低导通电阻,高功率,小尺寸封装

为使工业设备及电机装置等设备更加高效运行,ROHM 推出可进一步减少功率损耗的RH6/RS6系列N沟道功率MOSFET,该系列具有低导通电阻RDS(ON)和高功率,以及超小型HSOP8/HSMT8封装等特点,非常适合用作电路中的开关元件。

upfile

特性:

  • 低导通电阻

  • 小型封装:HSOP8(5.0*6.0*1.0mm);HSMT8(3.3*3.3*0.8mm)

  • VDS电压范围:40V~150V

  • 工作温度:-55℃~150℃

  • 连续漏极电流ID范围:25A~120A

应用领域:

基站,服务器电源,电机驱动,工业和消费设备等

ROHM RH6/RS6系列N-CH功率MOSFET

图片
制造商零件编号
描述
可供货数量
操作
Nch 100V 40A, HSMT8, Power MOSFET
100
Nch 150V 25A, HSMT8, Power MOSFET
100
Nch 40V 100A, HSOP8, Power MOSFET
100
Nch 60V 90A, HSOP8, Power MOSFET
99
Nch 60V 150A, HSOP8, Power MOSFET
97
Nch 100V 60A, HSOP8, Power MOSFET
100
Nch 100V 100A, HSOP8, Power MOSFET
97
Nch 150V 35A, HSOP8, Power MOSFET
100

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