为使工业设备及电机装置等设备更加高效运行，ROHM 推出可进一步减少功率损耗的RH6/RS6系列N沟道功率MOSFET，该系列具有低导通电阻RDS(ON)和高功率，以及超小型HSOP8/HSMT8封装等特点，非常适合用作电路中的开关元件。

特性：

• 低导通电阻

• 小型封装：HSOP8(5.0*6.0*1.0mm)；HSMT8(3.3*3.3*0.8mm）

• VDS电压范围：40V~150V

• 工作温度：-55℃~150℃

• 连续漏极电流ID范围：25A~120A

应用领域：

基站，服务器电源，电机驱动，工业和消费设备等