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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 漏源极电压Vds | 20V | |
| 连续漏极电流Id | 2.5A | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 72mΩ@2.5A,4.5V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 1mA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 3.6nC @ 4.5V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 260pF @ 10V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 1W | |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | 8-TSST |
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24个通道的恒流驱动芯片，每个通道都能提供最大1A的输出电流
具有60V漏源电压（VDSS）和±15.5A连续漏极电流，适用开关、电机驱动器和直流/直流转换器
一款具有快速反向恢复时间 (trr) 的功率 MOSFET
高可靠性车规小信号MOSFET，适用于开关和低侧负载开关、继电器驱动器
低导通电阻，高功率，小尺寸封装
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| IPB200N25N3 G | 33,000 |
| SVS70R900DE3TR | 17,500 |
| GP3134K | 8,000 |
| IPB107N20N3 G | 7,000 |
| WST4045 | 3,650 |
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