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功率MOSFET   TO-220

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制造商编号 MDP10N055TH
制 造 商 MAGNACHIP(美格纳)
唯样编号 A-MDP10N055TH
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 工作温度:-55°C~175°C 栅极电压Vgs:±20V 漏源极电压Vds:100V
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商品目录 功率MOSFET
封装/外壳 TO-220
FET类型 N-Channel
工作温度 -55°C~175°C
栅极电压Vgs ±20V
漏源极电压Vds 100V
连续漏极电流Id 130A
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.5mΩ@50A,10V
Pd-功率耗散(Max) 188W
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