| 制造商编号 | BAS16E6327HTSA1 |
|---|---|
| 商品别名 | BAS 16 E6327 |
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-BAS16E6327HTSA1 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF二极管 | |
| 不同If时电压-正向(Vf) | 1.25V @ 150mA | |
| 不同Vr时电流-反向泄漏 | 1uA @ 75V | |
| 不同 Vr、F时电容 | 2pF @ 0V,1MHz | |
| 二极管类型 | 标准 | |
| 反向恢复时间(trr) | 4ns | |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | |
| 工作温度-结 | 150°C(最大) | |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 80V | |
| 电流-平均整流(Io) | 250mA(DC) | |
| 速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC，基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
非常适合用于USB-PD和快速充电器设计
根据超结原理 (SJ) 设计，极低的开关和传导损耗
采用TrenchStop™和Fieldstop技术，可提供卓越的开关性能
Infineon Technologies TRENCHSTOP™ RC-H5 1200V/1350V IGBT开发和优化用于满足感应烹饪应用的严格要求。
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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BAS16E6327HTSA1 | Infineon | 数据手册 | RF二极管 |
BAS 16 E6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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BAS16,215 | Nexperia | 数据手册 | 整流二极管 |
BAS16_TO-236AB(SOT23) |
￥0.1442
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201,170 | 对比 | ||||||||||||
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BAS116,215 | Nexperia | 数据手册 | 通用二极管 |
BAS116_SOT23 |
￥0.3146
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200,189 | 对比 | ||||||||||||
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BAS16W,115 | Nexperia | 数据手册 | 开关二极管 |
BAS16W_SOT323 |
￥0.1874
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15,200 | 对比 | ||||||||||||
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BAS16HMFHT116 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 开关二极管 |
SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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BAS16-E3-08 | Vishay | 数据手册 | 整流二极管 |
SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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