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功率MOSFET   8-HSOP

图像仅供参考 请参阅产品规格
图片丝印不一定为本产品

制造商编号 HP8S36TB
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A33-HP8S36TB-0
供货
产品周期

量产中(新设计非推荐)

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
FET类型:2N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:27A,80A Rds On(Max)@Id,Vgs:2.4mΩ@32A,10V Pd-功率耗散(Max):29W
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参数信息 常见问题

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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
FET类型 2N-Channel
漏源极电压Vds 30V
连续漏极电流Id 27A,80A
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.4mΩ@32A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 47nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6100pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max) 29W
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 8-HSOP
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库存 :  5,000

价格梯度 单价(含税)
20+ ¥8.4613
50+ ¥4.7529
100+ ¥4.5134
500+ ¥4.2067
1,000+ ¥4.063
2,000+ ¥3.948

整包(请按2500的倍数下单)

4,000+ ¥3.9288
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:

总价:

购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

最小包:2,500 
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
交期: 3周-4周
起订量:20 倍数:1

特殊说明

生产年份  :  2022 年

热销商品

制造商编号 最近销量(PCS)
PJD16P06A-AU_L2_000A1 42,000
AO3400A 36,000
NCEP039N10D 22,400
NCE6012AS 20,000
AON7544 20,000
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