| 制造商编号 | FF600R12ME4 |
|---|---|
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-FF600R12ME4 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
4050W AG-ECONOD-5 -40°C~150°C
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT模块 | |
| 配置 | Dual | |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200V | |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.1V | |
| 在25 C的连续集电极电流 | 995A | |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400nA | |
| 功率 | 4050W | |
| 封装/外壳 | AG-ECONOD-5 | |
| 栅极/发射极最大电压 | ±20V | |
| 工作温度 | -40°C~150°C |
Infineon 系列 IGBT 模块提供低切换损耗，用于高达 60 khz 频率的切换。
IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。
封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4
绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
Infineon 系列 IGBT 模块提供低切换损耗，用于高达 60 khz 频率的切换。
IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。
封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4
绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
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暂无价格 |
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最小包：10
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期：
18W
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| 起订量： 10 | 倍数：1 |
专为匹配英飞凌600V/650V CoolMOS™ 7系列MOSFET设计，高效率、高可靠性和高功率密度
可增强GNSS信号灵敏度，适用于工作频率范围为1164MH~1300MHz的L频段应用
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU，旨在满足最高的安全标准，同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
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