AO3421E 与 RSR025P03TL 区别
| 型号 | AO3421E | RSR025P03TL |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AO3421E | A-RSR025P03TL |
| 制造商 | AOS | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | 27.5 | - |
| 功率耗散(最大值) | - | 1W(Ta) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 95mΩ@10V | - |
| ESD Diode | Yes | - |
| Rds On(Max)@4.5V | 160mΩ | - |
| Qgd(nC) | 1.2 | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 460pF @ 10V |
| 栅极电压Vgs | 20V | - |
| Td(on)(ns) | 8 | - |
| 封装/外壳 | SOT23-3 | TSMT3 |
| 连续漏极电流Id | -3A | - |
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) |
| Ciss(pF) | 215 | - |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 98 毫欧 @ 2.5A,10V |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 4V,10V |
| Schottky Diode | No | - |
| Trr(ns) | 9 | - |
| Td(off)(ns) | 13.5 | - |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源极电压Vds | -30V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.4W | - |
| Qrr(nC) | 16 | - |
| VGS(th) | -2.5 | - |
| FET类型 | P-Channel | P 通道 |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 2.5A(Ta) |
| 漏源电压(Vdss) | - | 30V |
| Coss(pF) | 46.5 | - |
| Qg*(nC) | 2.2 | - |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 5.4nC @ 5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AO3421E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 P-Channel -30V 20V -3A 1.4W 95mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
DMP3098LQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
车规 |
暂无价格 | 15,000 | 对比 |
|
IRLML5203TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.25W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 98mΩ@3A,10V P-Channel 30V 3A SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
|
RSR025P03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 TSMT3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
DMP3098LQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
BSS308PE H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 P-Channel 80mΩ@2A,10V 500mW -55°C~150°C ±20V 30V 2A 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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