AO3421E 与 NTR4171PT1G 区别
| 型号 | AO3421E | NTR4171PT1G | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AO3421E | A36-NTR4171PT1G | ||||
| 制造商 | AOS | ON Semiconductor | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET | ||||
| 描述 | ||||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Crss(pF) | 27.5 | - | ||||
| 宽度 | - | 1.3 mm | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 95mΩ@10V | 75mΩ@2.2A,10V | ||||
| 正向跨导-最小值 | - | 7 S | ||||
| ESD Diode | Yes | - | ||||
| 上升时间 | - | 16 ns | ||||
| Rds On(Max)@4.5V | 160mΩ | - | ||||
| Qgd(nC) | 1.2 | - | ||||
| 栅极电压Vgs | 20V | ±12V | ||||
| Td(on)(ns) | 8 | - | ||||
| 封装/外壳 | SOT23-3 | SOT-23 | ||||
| 连续漏极电流Id | -3A | 2.2A(Ta) | ||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| Ciss(pF) | 215 | - | ||||
| 配置 | - | Single | ||||
| 长度 | - | 2.9 mm | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 2.5V,10V | ||||
| 下降时间 | - | 22 ns | ||||
| Schottky Diode | No | - | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 720pF @ 15V | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1.4V @ 250µA | ||||
| 高度 | - | 0.94 mm | ||||
| Trr(ns) | 9 | - | ||||
| Td(off)(ns) | 13.5 | - | ||||
| 漏源极电压Vds | -30V | 30V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.4W | 480mW(Ta) | ||||
| Qrr(nC) | 16 | - | ||||
| VGS(th) | -2.5 | - | ||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 32 ns | ||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||
| 系列 | - | NTR4171P | ||||
| 通道数量 | - | 1 Channel | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.4V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 720pF @ 15V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 15.6nC @ 10V | ||||
| 典型接通延迟时间 | - | 9 ns | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 15.6nC @ 10V | ||||
| Coss(pF) | 46.5 | - | ||||
| Qg*(nC) | 2.2 | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 354 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AO3421E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 P-Channel -30V 20V -3A 1.4W 95mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
|
ZXMP3F30FHTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 950mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 2.8A(Ta) |
￥1.2155
|
6,006 | 对比 | ||||||||||||
|
RSR025P03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 TSMT3 |
￥2.9706
|
4,400 | 对比 | ||||||||||||
|
NTR4171PT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 480mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOT-23 75mΩ@2.2A,10V P-Channel 30V 2.2A(Ta) |
￥0.7843
|
354 | 对比 | ||||||||||||
|
DMP3098LQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
车规 |
暂无价格 | 5 | 对比 | ||||||||||||
|
|
RSR025P03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 TSMT3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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