AOB292L 与 IPB042N10N3GATMA1 区别
| 型号 | AOB292L | IPB042N10N3GATMA1 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AOB292L | A-IPB042N10N3GATMA1 | ||
| 制造商 | AOS | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Crss(pF) | 32 | - | ||
| 功率耗散(最大值) | - | 214W(Tc) | ||
| Qgd(nC) | 13.5 | - | ||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 8410pF @ 50V | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||
| Td(on)(ns) | 20 | - | ||
| 封装/外壳 | TO-263 | TO-263-2 | ||
| 连续漏极电流Id | 105A | - | ||
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~175°C(TJ) | ||
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 117nC @ 10V | ||
| Ciss(pF) | 6775 | - | ||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 4.2 毫欧 @ 50A,10V | ||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 6V,10V | ||
| 导通电阻Rds(On) | 4.1mΩ@20A,10V | - | ||
| Trr(ns) | 50 | - | ||
| Td(off)(ns) | 48 | - | ||
| 功率耗散Pd | 300W | - | ||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||
| 漏源极电压Vds | 100V | - | ||
| Qrr(nC) | 380 | - | ||
| VGS(th) | 3.4 | - | ||
| FET类型 | N-Channel | N 通道 | ||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 3.5V @ 150uA | ||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 100A(Tc) | ||
| 漏源电压(Vdss) | - | 100V | ||
| Coss(pF) | 557 | - | ||
| Qg*(nC) | 90* | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AOB292L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 100V ±20V 105A 300W 4.1mΩ@20A,10V -55°C~175°C |
￥7.2
|
0 | 当前型号 | ||||
|
BUK765R0-100E,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 5mΩ@25A,10V 349W -55°C~175°C ±20V 100V 120A |
暂无价格 | 600 | 对比 | ||||
|
|
PSMN4R8-100BSEJ | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 4.8mΩ@10V 405W 175°C 3V 100V 120A |
暂无价格 | 29 | 对比 | ||||
|
IRFS4010TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.7mΩ@106A,10V N-Channel 100V 180A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
|
PSMN4R8-100BSEJ | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 4.8mΩ@10V 405W 175°C 3V 100V 120A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
IPB042N10N3GATMA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
N 通道 -55°C~175°C(TJ) TO-263-2 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
