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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | TO-263 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 100V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 连续漏极电流Id | 105A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 300W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.1mΩ@20A,10V | |
| VGS(th) | 3.4 | |
| Ciss(pF) | 6775 | |
| Coss(pF) | 557 | |
| Crss(pF) | 32 | |
| Qg*(nC) | 90* | |
| Qgd(nC) | 13.5 | |
| Td(on)(ns) | 20 | |
| Td(off)(ns) | 48 | |
| Trr(ns) | 50 | |
| Qrr(nC) | 380 | |
| 工作温度 | -55℃~175℃ |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：800
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-5天 |
| 起订量：1 | 倍数：1 |
用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
具有集成双共漏极N沟道MOSFET的电池保护IC
具有极低的RDS（on），低栅极电压和高电流能力，非常适合应用在DC/DC电路中
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| IPB200N25N3 G | 33,000 |
| SVS70R900DE3TR | 17,500 |
| GP3134K | 8,000 |
| IPB107N20N3 G | 7,000 |
| WST4045 | 3,650 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AOB292L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 |
￥14.6939
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749 | 当前型号 | ||||||||||
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IPB042N10N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPB042N10N3GATMA1_PG-TO263-3 |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | ||||||||||
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PSMN4R8-100BSEJ | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
PSMN4R8-100BSE_SOT404 |
￥33.8758
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50 | 对比 | ||||||||||
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IRF100S201 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263AB |
暂无价格 | 10 | 对比 | ||||||||||
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BUK765R0-100E,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
BUK765R0-100E_SOT404 |
￥22.4271
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0 | 对比 | ||||||||||
|
IPB100N10S3-05 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPB100N10S305ATMA1_10mm |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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