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AOB292L  与  IRLS4030PBF  区别

型号 AOB292L IRLS4030PBF
唯样编号 A-AOB292L A-IRLS4030PBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 370 W 87 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 32 -
Qgd(nC) 13.5 -
栅极电压Vgs ±20V ±16V
Td(on)(ns) 20 -
封装/外壳 TO-263 D2PAK
连续漏极电流Id 105A 180A
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 6775 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
导通电阻Rds(On) 4.1mΩ@20A,10V 4.3mΩ@110A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 11360pF @ 50V
Trr(ns) 50 -
Td(off)(ns) 48 -
功率耗散Pd 300W 370W(Tc)
漏源极电压Vds 100V 100V
Qrr(nC) 380 -
VGS(th) 3.4 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 11360pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 4.5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 4.5V
Coss(pF) 557 -
Qg*(nC) 90* -
库存与单价
库存 749 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥14.6939
100+ :  ¥10.5882
400+ :  ¥9.1139
800+ :  ¥7.2
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOB292L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 100V ±20V 105A 300W 4.1mΩ@20A,10V -55°C~175°C

¥14.6939 

阶梯数 价格
1: ¥14.6939
100: ¥10.5882
400: ¥9.1139
800: ¥7.2
749 当前型号
BUK765R0-100E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 5mΩ@25A,10V 349W -55°C~175°C ±20V 100V 120A

¥39.1129 

阶梯数 价格
5: ¥39.1129
100: ¥28.9725
400: ¥21.4611
800: ¥18.6618
1,400 对比
PSMN4R8-100BSEJ Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 4.8mΩ@10V 405W 175°C 3V 100V 120A

¥51.7973 

阶梯数 价格
5: ¥51.7973
100: ¥38.3684
400: ¥28.421
800: ¥24.7139
29 对比
PSMN5R6-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 5.6mΩ@10V 306W 175°C 3V 100V 100A

¥17.5238 

阶梯数 价格
800: ¥17.5238
0 对比
IRLS4030PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.3mΩ@110A,10V N-Channel 100V 180A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRF100S201 Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 441W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.2mΩ@115A,10V N-Channel 100V 192A TO-263AB

暂无价格 0 对比

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