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AOB470L  与  IPB80N06S2L-11  区别

型号 AOB470L IPB80N06S2L-11
唯样编号 A-AOB470L A-IPB80N06S2L-11
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 180 -
Td(off)(ns) 70 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 10.2mΩ@30A,10V 14.4mΩ
漏源极电压Vds 75V 55V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 268W -
Qrr(nC) 143 -
VGS(th) 4 -
Qgd(nC) 18 -
栅极电压Vgs ±25V 1.2V,2V
FET类型 N-Channel N-Channel
Td(on)(ns) 21 -
封装/外壳 TO-263 PG-TO263-3-2
连续漏极电流Id 100A 80A
工作温度 -55℃~175℃ -
RthJC max - 0.95 K/W
Ciss(pF) 4700 -
QG (typ @10V) - 62.0 nC
Ptot max - 158.0W
Trr(ns) 53 -
Coss(pF) 400 -
Qg*(nC) 114* -
Budgetary Price €€/1k - 0.46
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
170+ :  ¥4.7563
400+ :  ¥3.7197
800+ :  ¥2.9014
暂无价格
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阶梯数 价格
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