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AOB470L  与  IRF1010EZS  区别

型号 AOB470L IRF1010EZS
唯样编号 A-AOB470L A-IRF1010EZS
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 180 -
Td(off)(ns) 70 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 10.2mΩ@30A,10V 8.5mΩ@51A,10V
漏源极电压Vds 75V 60V
Pd-功率耗散(Max) 268W 140W(Tc)
Qrr(nC) 143 -
VGS(th) 4 -
Qgd(nC) 18 -
栅极电压Vgs ±25V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
Td(on)(ns) 21 -
封装/外壳 TO-263 D2PAK
连续漏极电流Id 100A 75A(Tc)
工作温度 -55℃~175℃ -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 4700 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2810pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 86nC @ 10V
Trr(ns) 53 -
Coss(pF) 400 -
Qg*(nC) 114* -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
170+ :  ¥4.7563
400+ :  ¥3.7197
800+ :  ¥2.9014
暂无价格
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¥4.7563 

阶梯数 价格
170: ¥4.7563
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