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AON6576  与  BSC050N03LSGATMA1  区别

型号 AON6576 BSC050N03LSGATMA1
唯样编号 A-AON6576 A-BSC050N03LSGATMA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta),50W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.7mΩ@20A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 26W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2800pF @ 15V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 DFN 5x6 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 32A -
工作温度 -55°C~150°C -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 35nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 5 毫欧 @ 30A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 18A(Ta),80A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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