首页 > 商品目录 > > > > AON6576代替型号比较

AON6576  与  TPN4R303NL,L1Q  区别

型号 AON6576 TPN4R303NL,L1Q
唯样编号 A-AON6576 A-TPN4R303NL,L1Q
制造商 AOS Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 40A 8TSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.7mΩ@20A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V 30 V
Pd-功率耗散(Max) 26W 700mW(Ta),34W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 4.3 毫欧 @ 20A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1400 pF @ 15 V
Vgs(th) - 2.3V @ 200uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 14.8 nC @ 10 V
封装/外壳 DFN 5x6 8-TSON Advance(3.1x3.1)
连续漏极电流Id 32A 40A(Tc)
工作温度 -55°C~150°C 150°C(TJ)
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON6576 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

暂无价格 0 当前型号
RQ3E180AJTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-PowerVDFN

暂无价格 100 对比
BSC050N03LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC050N03LS G_8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
BSC042N03ST Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
BSC050N03MS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC050N03MSGATMA1_5.9mm

暂无价格 0 对比
TPN4R303NL,L1Q Toshiba  数据手册 通用MOSFET

8-TSONAdvance(3.1x3.1)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售