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FDN337N  与  SI3400A-TP  区别

型号 FDN337N SI3400A-TP
唯样编号 A-FDN337N-2 A-SI3400A-TP
制造商 ON Semiconductor MCC
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 N-Channel 30 V 65 mOhm Surface Mount Field Effect Transistor - SSOT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 500mW(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V 32mΩ@5.8A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta) 400mW
栅极电压Vgs ±8V ±12V
FET 类型 - N-Channel
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23
输入电容Ciss - 1.155nF @ 15V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.2A(Ta) 5.8A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 300pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 300pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
3,000+ :  ¥0.156
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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