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IPAN80R450P7XKSA1  与  IPA80R450P7  区别

型号 IPAN80R450P7XKSA1 IPA80R450P7
唯样编号 A-IPAN80R450P7XKSA1 A-IPA80R450P7
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3-31
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 29W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 450mΩ@4.5A,10V
漏源极电压Vds - 800V
Pd-功率耗散(Max) - 29W(Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds - 770pF @ 500V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - 24nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 770pF @ 500V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 -
封装/外壳 TO-220-3 整包 PG-TO220-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 220uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 24nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 11A(Tc)
系列 - CoolMOS™
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 450 毫欧 @ 4.5A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 11A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 800V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 220µA
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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