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IPAN80R450P7XKSA1  与  TK13A60D(STA4,Q,M)  区别

型号 IPAN80R450P7XKSA1 TK13A60D(STA4,Q,M)
唯样编号 A-IPAN80R450P7XKSA1 A-TK13A60D(STA4,Q,M)
制造商 Infineon Technologies Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3-31 MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 29W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 600 V
Pd-功率耗散(Max) - 50W(Tc)
产品状态 - 最后售卖
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 430 毫欧 @ 6.5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 770pF @ 500V 2300 pF @ 25 V
Vgs(th) - 4V @ 1mA
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 40 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220SIS
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 220uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 24nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 13A(Ta)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 450 毫欧 @ 4.5A,10V -
Vgs(最大值) ±20V ±30V
25°C时电流-连续漏极(Id) 11A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V 10V
漏源电压(Vdss) 800V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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