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IPAN80R450P7XKSA1  与  IPA80R450P7XKSA1  区别

型号 IPAN80R450P7XKSA1 IPA80R450P7XKSA1
唯样编号 A-IPAN80R450P7XKSA1 A-IPA80R450P7XKSA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3-31 MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3F
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 29W(Tc) 29W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 770pF @ 500V 770pF @ 500V
FET类型 N 通道 N 通道
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220-3 整包
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 220uA 3.5V @ 220uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 24nC @ 10V 24nC @ 10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
FET功能 - 超级结
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 450 毫欧 @ 4.5A,10V 450 毫欧 @ 4.5A,10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 11A(Tc) 11A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V 10V
漏源电压(Vdss) 800V 800V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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